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鈦靶材

鈦銅復合靶

發布時間:2019/04/11 點擊量:

靶材的主要性能要求
純度
純度是靶材的主要性能指標之一,因為靶材的純度對薄膜的性能影響很大。
不過在實際應用中,對靶材的純度要求也不盡相同。例如,隨著微電子行業的迅速發展,硅片尺寸由6”, 8“發展到12”, 而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材純度可以滿足0.35umIC的工藝要求,而制備0.18um線條對靶材純度則要求99.999%甚至99.9999%。
雜質含量
靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。不同用途的靶材對不同雜質含量的要求也不同。例如,半導體工業用的純鋁及鋁合金靶材,對堿金屬含量和放射性元素含量都有特殊要求。
密度
為了減少靶材固體中的氣孔,提高濺射薄膜的性能,通常要求靶材具有較高的密度。靶材的密度不僅影響濺射速率,還影響著薄膜的電學和光學性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和強度使靶材能更好地承受濺射過程中的熱應力。密度也是靶材的關鍵性能指標之一。
品名:鈦靶           牌號:TA1             產地:寶雞
 
鈦含量≥:99.8(%)   雜質含量:0.02(%)     重量:不等(kg/塊) 
    
牌號:TA0,TA1,TA2,TA3,TC4(Ti6AL4V),GR1,GR2,GR3,GR5( Ti6AL4V) 
  
鈦圓靶 :技術條件:符合GB/T2695-1996,ASTMB348-97  
 
鈦板靶 :技術條件:符合GB/T3621-94,ASTM B265-93 
 
用途:用于半導體分離器件、平面顯示器、儲存器電極薄膜、濺射鍍膜、工件表面涂層,玻璃鍍膜工業等 

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